2012中国LED产业健康发展高峰论坛 期待您的加入

      来自路明科技、凹凸科技、国星光电、雷曼光电、英飞特电子等LED相关制造商，以及工信部、行业协会、研究机构的领导与专家和现场听众分享了2011年最新的LED市场趋势与商机，以及技术、策略，整个论坛分享和互动气氛热烈，专家与听众深入沟通交流。

      我国LED重大装备、衬底和外延材料、芯片制造、器件封装以及应用等方面均已显现具有自主知识产权的单元技术，部分核心技术具有原创性，初步形成了从上游 材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系，为我国LED产业做大做强在一定程度上奠定了基础。
      国内唯一首次利用自主研发的MOCVD工程化样机（7×2’’）生长LED达到8mW；国内首台MOCVD设备制造的蓝光小芯片LED在20mA下发光功率达到8.3mW，发光波长460nm。
     HVPE设备可能成为未来半导体照明的核心基础设备，目前上还尚无成熟的商业化国际设备，国内自主研制的HVPE设备生长的材料性能：HVPE GaN外延片XRD衍射半峰宽141弧秒，为当时国内报道的最好水平；C面GaN厚膜生长速度超过100微米/h，表面粗糙度5-6nm，双晶结果 (002)约105arcsec，(102)为140arcsec，显示了高晶体质量；半极性GaN厚膜表面粗糙度6 nm左右，表面层错大幅度降低，双晶最好结果约低于300 arcsec，是目前报道的最好结果之一。
      半导体照明“十二五”重大项目的各项任务，其最终目标都是围绕面向200lm/W的半导体通用照明目标而努力。未来十年GaN衬底是实现200lm/W半导体照明技术最有潜力的技术，将推动半导体照明进入通用照明市场。

     在此基础上，2012中国LED产业健康发展高峰论坛相信会更加精彩！